YJL05N04AQ

RoHS YJL05N04AQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% ▽VDS Tested 40V 5.0A <45mohm <60mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified SOT-23 Applications ● PWM application ● L...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJL05N04C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ JMTL400N04A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ NCE4009S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.