YJL3139KA

RoHS YJL3139KA COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS -20V ● ID -0.5A ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <850 mohm ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) <1200 mohm ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) <2000 mohm ● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2303 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
P- NCE2303 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- CRTJ650P03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML5103TR (YOUTAI)
 

IRLML5103TR (INFIN)
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.