YJSD12N03A
RoHS
YJSD12N03A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
30V
12A
<12 mohm
<15 mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Battery protection
● Load switch
● Power management
■ Absolute Maximum Rat...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | LDN4308T1G (LRC) | SOP-8 | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LDN8308DT1AG (LRC) | — | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJSD12N03AF2
Microsoft Word - YJSD12N03A
Дата модификации: 14.10.2020
Размер: 1.12 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.