IRF540N

UMW R IRF540N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) 100 rDS(on) (Ω) • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package ID (A) 0.032 at VGS = 10 V 45 0.035 at VGS = 4.5 V 40 D TO-220AB G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Drai...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF540N (IR)
  • Корпус: TO220AB
  • Норма упаковки: 1000  шт. (в линейках)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP45G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- CS540A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- NCE0157A2 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- WMK175N10HG4 (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
P- WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.