SI2318A

UMW R UMW SI2318A 40V N-Channel MOSFET ■ Features SOT–23 ● VDS (V) = 40V ● ID = 5.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 36 mΩ (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 46 mΩ (VGS = 4.5V) 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Equivalent Circuit D G S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Drain-Source Voltage VDS 40 Gate-Source Voltage VGS ±20 Tc=70℃ ID Ta=25℃ 4.5 4.3 Pulsed Drain Current...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ NCE4009S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8415DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.