STD30NF06L
UMW
R
STD30NF06
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
General Description
The STD30NF06 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R DS(ON) wi th low gate charge.
It can be used in a wide variety of applications.
Features
VDS = 60V,ID =30A
RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V
RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Le...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.