Серия FET транзисторов MTM78E2

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	WSON-8
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Рассеиваемая мощность

Документация на серию MTM78E2

Doc No. TT4-EA-12408 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTM78E2B0LBF MTM78E2B0LBF Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Type Unit: mm 2.0 For lithium-ion secondary battery protection circuit 0.2 8 7 6 5 1 2 3 4 1.7 2.1  Features 0.13  Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V)  Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) 0.7 0.5  Marking Symbol: 5A 1. 2. 3. 4. Source 1 Gate 1 Source 2 Gate 2 5. 6. 7. 8. Drain Drain Drain Drain  Packaging Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Drain-source Voltage FET1 Gate-source Voltage FET2 Drain current *1 Peak drain current Total power dissipation Overall Channel temperature Operating ambient temperature Storage temperature Note) *1 t = 10 μs, Duty Cycle < 1 % Ceramic substrate (70 70 t 1.0 mm) *2 Dual operating *3 Stand-alone (without the substrate) VDS VGS ID IDp PD1*2 PD2*3 Tch Topr Tstg Panasonic JEITA Code WSMini8-F1-B SC-113E ― Internal Connection Rating Unit 20 12 4.0 40 700 150 150 -40 to +85 -55 to +150 V V A A (D) 8 (D) 7 mW (D) 6 (D) 5 Rg = 1 kΩ Rg = 1 kΩ °C °C °C 1 2 3 4 (S1) (G1) (S2) (G2) Pin Name 1. 2. 3. 4. Source 1 Gate 1 Source 2 Gate 2 5. 6. 7. 8. Drain Drain Drain Drain Page 1 of 6 Established : 2010-03-03 Revised : 2013-10-15  PDF

Документация на MTM78E2B0LBF 

MTM78E2B0LBF Ver. EED

Дата модификации: 07.06.2018

Размер: 294.5 Кб

7 стр.

• найти MTM78E2.pdf

Товары серии MTM78E2