MTM78E2B0LBF
Doc No. TT4-EA-12408
Revision. 2
Product Standards
MOS FET
MTM78E2B0LBF
MTM78E2B0LBF
Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Type
Unit: mm
2.0
For lithium-ion secondary battery protection circuit
0.2
8
7
6
5
1
2
3
4
1.7
2.1
Features
0.13
Low drain-source On-state Resistance
RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V)
Halogen-free / RoHS compliant
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Leve...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: MTM78E2
- Корпус: WSON-8
- Норма упаковки: 1 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | WSON-8 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJL2312A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | JMTL3416KS (JIEJIE) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WM02N70M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | LN2328EDT2AG (LRC) | DFN20206S |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LN2326EDT2AG (LRC) | DFN20206S |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LN2322ELT1G (LRC) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LN2322EDT2AG (LRC) | DFN20206S |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LN2320EDT2AG (LRC) | DFN20206S |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | LN2316ELT1G (LRC) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | NCE2312A (NCE) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | NCE3416 (NCE) | SOT-23-3 | 1 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WM02N50M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CJ8820 (JSCJ) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | FK6K02010L (PAN) | WSMini6-F1-B |  |  |  |  |  |  |  | — |  | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | CJ8810 (JSCJ) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJ3420 (JSCJ) | SOT-23-3 | в ленте 5 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJK8804 (JSCJ) | SOT233L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | YJL3416A (YJ) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJL2312AQ (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJL2312AL (YJ) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | JMTL2312A (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | IRLML6244TR (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на MTM78E2B0LBF
MTM78E2B0LBF Ver. EED
Дата модификации: 07.06.2018
Размер: 294.5 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.