Pai8233B-WR
2Pai Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
Pai8232B/C, Pai8233B/C
5kV RMS Isolated Dual-Channel Gate Driver
Features
Universal: Dual Low-Side, Dual High-Side or Half-Bridge
Driver
Operating Temperature Range –40 to +125°C
Switching Parameters:
➢ 19-ns Typical Propagation Delay
➢ 10-ns Minimum Pulse Width
➢ 5-ns Maximum Delay Matching
➢ 5-ns Maximum Pulse-Width Distortion
Common-Mode Transient Immunity (CM...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Драйверы FET-IGBT
- Корпус: SO-14 SOIC14
- Норма упаковки: 300 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-14 SOIC14 | |
---|---|---|
Кол-во нижних каналов | ||
Кол-во верхних каналов | ||
Максимальное напряжение смещения | ||
Максимальный выходной ток нарастания | ||
Максимальный выходной ток спада | ||
Напряжение изоляции | ||
Опции | ||
Рабочая температура | ||
Примечание | Isolated Dual-Channel Gate Driver |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.