Pai8233B-WR
Pai8232B/C, Pai8233B/C
5kV RMS Isolated Dual-Channel Gate Driver
Features
Universal: Dual Low-Side, Dual High-Side or Half-Bridge
Driver
Operating Temperature Range –40 to +125°C
Switching Parameters:
➢ 19-ns Typical Propagation Delay
➢ 10-ns Minimum Pulse Width
➢ 5-ns Maximum Delay Matching
➢ 5-ns Maximum Pulse-Width Distortion
Common-Mode Transient Immunity (CM...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Драйверы FET-IGBT
- Корпус: SO-14 SOIC14
- Норма упаковки: 1500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SO-14 SOIC14 | |
|---|---|---|
| Кол-во нижних каналов | ||
| Кол-во верхних каналов | ||
| Максимальное напряжение смещения | ||
| Максимальный выходной ток нарастания | ||
| Максимальный выходной ток спада | ||
| Напряжение изоляции | ||
| Опции | ||
| Рабочая температура | ||
| Примечание | Isolated Dual-Channel Gate Driver |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Nнижн | Nверхн | Uoffset | Iout+ | Iout- | Uизол | Опции | T раб | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F~ | NSI6602A-DSWKR (NOVOSENS) | SO-14 SOIC14 | в ленте 20 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.