Pai8233C-WR

2PAI
Pai8232B/C, Pai8233B/C 5kV RMS 双通道隔离栅极驱动器 特性 通用：双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器 工作温度范围：–40℃ 至 +125℃ 开关参数: ➢ 典型传输延时 19ns ➢ 最小脉冲宽度 10ns ➢ 最大传输失配 5ns ➢ 最大脉宽失真 5ns 共模传输抑制比(CMTI):100kV/us 隔离栅寿命 >40 年 4A 峰值源电流, 8A 峰值灌电流 TTL 和 CMOS 兼容输入 3V~5.5V 输入 VCCI 范围可与数字和模拟控制器接口 输出驱动电源 VDD 高达 25V ➢ 6V 和 ...
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Технические характеристики

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Корпус SO-14 SOIC14
Напряжение изоляции RMS
Диапазон напряжений питания
Рабочая температура
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Аналоги 3

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Тип Наименование Корпус Упаковка i Изоляция TX RX Скорость Задержка U пит Примечание T раб Карточка
товара
P= Pai8233CQ-WR (2PAI)
 
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F~ NSI6602B-DSWKR (NOVOSENS)
 
SO-14 SOIC14
 
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F~ NSI6602B-Q1SWKR (NOVOSENS)
 
SO-14 SOIC14
 
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Pai8232B/C, Pai8233B/C 5kV RMS 双通道隔离栅极驱动器 特性 通用：双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器 工作温度范围：–40℃ 至 +125℃ 开关参数: ➢ 典型传输延时 19ns ➢ 最小脉冲宽度 10ns ➢ 最大传输失配 5ns ➢ 最大脉宽失真 5ns 共模传输抑制比(CMTI):100kV/us 隔离栅寿命 >40 年 4A 峰值源电流, 8A 峰值灌电流 TTL 和 CMOS 兼容输入 3V~5.5V 输入 VCCI 范围可与数字和模拟控制器接口 输出驱动电源 VDD 高达 25V ➢ 6V 和 9V VDD UVLO 版本可选 可编程的重叠和死区时间 抑制小于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态 满足电源时序的快速 Disable 功能 安全相关认证：(Pending) ➢ 符合 DIN V VDE V 0884-11：2017-01 的 5000VPK 基本绝缘 ➢ 符合 UL 1577 的 1 分钟 5kVRMS 隔离电压 ➢ 符合 IEC 60950-1，IEC 62368-1，IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证 ➢ 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证 标准 NB SOIC-16 和 WB SOIC-14 封装 应用 DC-DC 和 AC-DC 电源中的隔离转换器 服务器、电信、IT 和工业基础设施 电机驱动器和 DC-AC 太阳能逆变器 HEV 和 BEV 电池充电器 不间断电源(UPS) 感应加热 LED 照明 输入端通过一个能承受 5kVRMS 隔离电压的隔离栅与两 个输出驱动器隔离，典型的共模瞬变抗扰度(CMTI)能力超过 100kV/us。 两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许最 高 1200V DC 的工作电压。 每个驱动器都可以作为两个低端驱动器、两个高端驱 动器或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动器使用。Disable 引脚在设为高电平时会同时关闭两个输出，并在断开或接 地时允许正常运行。作为故障安全措施，初级侧逻辑故障 会将两个输出均设为低电平。 每个器件都支持高达 25 V 的 VDD 电源电压。3V 至 5.5V 的输入 VCCI 范围使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。 所有电源电压引脚均具有欠压锁定(UVLO)保护。 产品信息 型号 隔离耐压 VDD 最低 电压 6.5V Pai823XB-WR1 5kV Pai823XB-S1R1 3KV 6.5V NB SOIC-16 Pai823XC-WR1 5KV 9.2V WB SOIC-14 Pai823XC-S1R1 3KV 9.2V NB SOIC-16 Pai823xBQ-WR2 5KV 6.5V WB SOIC-14 Pai823xBQ-S1R2 3KV 6.5V NB SOIC-16 Pai823xCQ-WR2 5KV 9.2V WB SOIC-14 功能框图 图 1.功能框图 Rev. 1.1 荣湃半导体提供的信息被认为是准确和可靠的。但荣湃半导体对使用它或因使用它可能 导致的任何专利侵权或第三方其他权利不承担任何责任。规格如有更改，恕不另行通 知。荣湃半导体的任何专利或专利权均不以暗示或其他方式授予任何许可。 商标和注册商标是其各自所有者的财产。 WB SOIC-14 Pai823xCQ-S1R2 3KV 9.2V NB SOIC-16 说明： 1) X 为 2 输出电流为 2A/4A，X 为 3 输出电流为 4A/8A. 2) 满足 AEC-Q100 的车规认证要求 概述 Pai8232B/C 和 Pai8233B/C 是基于荣湃 iDivider®技术开发 的双通道隔离栅极驱动器，具有 4A 的峰值源电流和 8A 的 峰值灌电流。该系列器件的最高开关频率可达 5MHz，适用 于 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的栅极驱动。 封装 上海市浦东新区博霞路 22 号 307-309 室，201203 021-50850681 荣湃半导体(上海)有限公司，版权所有。 http://www.rpsemi.com/ PDF
Документация на Pai8233C-WR 

Дата модификации: 24.11.2022

Размер: 2.2 Мб

24 стр.

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    TD541S-40H3 (MORNSUN)