BAV70W

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 75 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 2 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAV70WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
P= BAV70W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
P= BAV70WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV70W-Q1 (ANBON)
 
SOT-323-3
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
BAV70W  SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-323 FEATURES Fast Switching Speed z For General Purpose Switching Applications z High Conductance z MARKING: KJA 1 KJA KJA 3 Solid dot = Green molding compound device, 2 if none,the normal device. Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA IFSM 2.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time Symbol Min V (BR) 75 Typ Max Unit Conditions V IR=100μA VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 2.5 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V CT 2 pF VR=0V,f=1MHz 4 trr ns Document ID Page 1 AS-3120019 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Issued Date 2 010/06/10 Revised Date Revision 2013/10/23 B Page. 3 PDF
Документация на BAV70W 

Author: Administrator

Дата модификации: 22.10.2014

Размер: 5.58 Мб

3 стр.

BAV70W  SOT-323 Plastic-Encapsulate Switching Diode SOT-323 FEATURES Fast Switching Speed z For General Purpose Switching Applications z High Conductance z z Compliant to Halogen-free MARKING: KJA 1 3 2 Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA IFSM 2.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 Symbol Min V (BR) 75 Typ Max Unit Conditions V IR=100μA VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 2.5 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V CT 2 pF VR=0V,f=1MHz 4 trr ns Document ID Page 1 AS-3120019 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Issued Date 2 010/06/10 Revised Date 2022/10/15 Revision C1 Page. 3 PDF
Документация на BAV70W 

Author: Administrator

Дата модификации: 22.10.2014

Размер: 6.3 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)