BAV99W

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 75 В, ток до 500 мА, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 2 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAV99WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 70V V(RRM), Silicon
P= BAV99W (DC)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [SOT-323-3] — — Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV99W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 0.15A, 75V V(RRM)
P= BAV99WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV99W (SHIKUES)
 
SOT-323-3 1620 шт — — — — — —
P= LBAS70-04LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3206 шт
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
P= BAV199WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — —
P= BAS70-04 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
P= BAS70-04 (DC)
 
TO236AB в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [SOT-23-3] — — —
P= BAS70-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 0.2A, 70V V(RRM)
P= BAS70W-04 (ANBON)
 
SOT-323-3 — — — — —
P= BAS70-04 (ANBON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
P= BAS70-04 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
BAV99W/BAL99W BAS16W/BAV70W/BAW56W 200mW Surface Mount Switching Diode- 75V Package outline Features • Fast speed switching. • For general purpose switching application. • High conductance. • Silicon epitaxial planar chip. • Lead-free parts meet RoHS requirments. • Suffix "-H" indicates Halogen-free parts, ex. ΒΑS16W-H. 0.016 (0.40) (B) 0.012 (0.30) .056(1.40) .048(1.20) 0.088 (2.20) 0.072 (1.80) 0.026 (0.65)Max SOT-323 (C) (A) 0.054 (1.35) 0.017 (0.42)Min. 0.046 (1.15) 0.096 (2.40) Mechanical data 0.010(0.25) • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOT-323 • Terminals : Solder plated, solderable per 0.004 (0.10) 0.080 (2.00) 0.040 (1.00) 0.032 (0.80) MIL-STD-750, Method 2026 • Mounting Position : Any • Weight : Approximated 0.006 gram Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT PARAMETER Symbol BAS16W Maximum Reverse Voltage o T A=25 C unless otherwise noted) BAV70W BAW56W BAV99W VR Maximum Forward Current IF Maximum Peak Forward Surge Current I FM 1 Total Device Dissipation FR-5 O Board* , T A = 25 C 215 Total Device Dissipation mA mA 500 PD mW 200 mW/ OC 1.6 Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1) O Substrate* , T A = 25 C R θJA 625 PD 300 O Derate Above 25 C O R θJA Operating Junction Temperature Range TJ Storage Temperature Range mW/ OC at V R = 70V at V R = 25V, T J =150 OC IR O 417 T STG Maximum Reverse Voltage Leakage Current at V R = 75V o C -65 to +150 o C 1.0 - - - - 2.5 2.5 2.5 2.5 30.0 - - 30.0 60.0 30.0 30.0 50.0 - - - at V R = 70V, T J =150 OC - 100.0 50.0 50.0 50.0 2.0 1.5 2.0 1.5 1.5 Maximum Reverse Recovery Time(I F = I R = 10mA,V R = 5.0Vdc, I R(REC) = 1.0mAdc, R L = 100 OHM) Maximum Forward Voltage at I F = 1.0mAdc at I F = 10mAdc at I F = 50mAdc CD C/W -65 to +150 at V R = 75V, T J =150 OC Typical Diode Capacition(V R = 0V, f = 1.0MHz) C/W mW 2.4 Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2) UNIT V 200 Derate Above 25 OC 2 BAL99W 75 pF ns 6.0 t rr μAdc 715 855 VF mV 1000 at I F = 150mAdc 1250 Notes: *1 FR-5=1.0x0.75x0.062 in *2 Alumina=0.4x0.3x0.024 in 99.5% Alumina Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3120031 2003/03/08 2012/05/16 D 4 PDF
Документация на BAV99W 

BAS16W_BAV70W_BAW56W_BAV99W_B

Дата модификации: 09.03.2015

Размер: 568.3 Кб

4 стр.

BAV99W 200mW Surface Mount Switching Diode- 75V Package outline Features • Fast speed switching. • For general purpose switching application. • High conductance. • Silicon epitaxial planar chip. • Lead-free parts meet RoHS requirments. • Compliant to Halogen-free • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOT-323 • Terminals : Solder plated, solderable per 0.016 (0.40) (B) 0.012 (0.30) .056(1.40) .048(1.20) 0.088 (2.20) Mechanical data 0.072 (1.80) 0.026 (0.65)Max SOT-323 (C) (A) 0.054 (1.35) 0.017 (0.42)Min. 0.046 (1.15) 0.096 (2.40) MIL-STD-750, Method 2026 0.040 (1.00) • Mounting Position : Any 0.004 (0.10) 0.010(0.25) 0.080 (2.00) 0.032 (0.80) Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT Item Peak Reverse Voltage Symbol o T A=25 C unless otherwise noted) Unit Value VRRM V 100 Reverse Voltage VR V 75 Peak Forward Current IFAV mA 150 RθJA ℃/W 625 TJ ℃ -55 to +150 TSTG ℃ -55 to +150 Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction Temperature Storage Temperature Item Reverse Voltage Maximum Instantaneous Forward Voltage Symbol VR VF Unit V Conditions Value IR=100uA 75 IF=1mA 0.715 IF=10mA 0.855 IF=50mA 1.0 IF=150mA 1.25 2.5 V Maximum DC Reverse Current IR uA VR=75V Typical Junction Capacitance CJ pF f=1.0MHz, VR=0V 2 Reverse Recovery Time Trr ns IF=IR=10mA Irr=0.1*IR, RL=100Ω 4 http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482812 Page 1 Document ID Issued Date Revised Date AS-3120031 2003/03/08 2022/05/16 Revision E Page. 3 PDF
Документация на BAV99W 

BAV99W

Дата модификации: 09.03.2015

Размер: 929.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)