DSR1M

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LMBR160FT1G (LRC)
 
SOD123FL 100 шт
 
 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon
P= S1ML (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
P= MBR0560 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= SOD4007-SH (LRC)
 
SOD123FL
 
 — — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= US1MW (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
DSR1A THRU DSR1M 1.0A Surface Mount General Purpose Rectifiers - 50V-1000V Package outline Features Glass passivated device Ideal for surface mouted applications Low reverse leakage Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU Compliant to Halogen-free SOD-123 1.1± 0.25 0.10-0.30 1.8± 0.2 0.2 Cathode Band Top View 0.6 0.25 Mechanical data Case : JEDEC SOD-123 molded plastic body over passivated chip Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT 3.7 0.2 Dimensions in millimeters T A=25 oC unless otherwise noted) MAX. UNIT Forward rectified current See Fig.2 IO 1.0 A Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) I FSM 25 A PARAMETER Symbol CONDITIONS V R = V RRM T A = 25 OC Reverse current O V R = V RRM T A = 100 C TYP. 5.0 IR Thermal resistance Junction to ambient NOTE 1 R θJA Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage CJ Storage temperature MIN. T STG μA 50 O 180 pF 4 O +150 -65 C/W C Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas SYMBOLS *1 V RRM (V) *3 VR (V) V RMS*2 (V) DSR1A 50 35 50 DSR1B 100 70 100 DSR1D 200 140 200 DSR1G 400 280 400 DSR1J 600 420 600 DSR1K 800 560 800 DSR1M 1000 700 1000 *4 VF (V) Operating temperature T J, ( OC) *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage *3 Continuous reverse voltage 1.10 -55 to +150 *4 Maximum forward voltage@I F=1.0A Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 Page 1 Document ID Issued Date Revised Date AS-3010002 2003/03/08 2019/03/16 Revision E Page. 3 PDF
Документация на DSR1A 

Author:

Дата модификации: 24.09.2014

Размер: 923.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)