S10M-C

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= S8M (JSCJ)
 
DO215AB в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
P= S8KC (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — — —
P= S8MC (LRC)
 
DO-214AB SMC в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P= S8MCG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
S10A-C THRU S10M-C 10.0 A Surface Mount General Purpose Rectifiers - 50V-1000V Package outline Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Low reverse leakage Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds at terminals Glass passivated chip junction Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU Compliant to Halogen-free SMC/DO-214AB 0.245(6.22) 0.220(5.59) 0.126 (3.20) 0.114 (2.90) 0.280(7.11) 0.260(6.60) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.103(2.62) 0.079(2.06) Mechanical data Case: JEDEC DO-214AB molded plastic body Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any 0.060(1.52) 0.030(0.76) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT 0.008(0.203)MAX. 0.320(8.13) 0.305(7.75) Dimensions in inches and (millimeters) T A=25 oC unless otherwise noted) MAX. UNIT Forward rectified current See Fig.1 IO 10.0 A Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) I FSM 250 A PARAMETER Symbol CONDITIONS V R = V RRM T A = 25 OC Reverse current O V R = V RRM T A = 100 C MIN. TYP. 5.0 IR Thermal resistance Junction to ambient NOTE 1 R θJA 10 Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage CJ 130 Storage temperature T STG μA 50 O pF O +150 -65 C/W C Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas SYMBOLS *1 V RRM (V) *3 VR (V) V RMS*2 (V) S10A-C 50 35 50 S10B-C 100 70 100 S10D-C 200 140 200 S10G-C 400 280 400 S10J-C 600 420 600 S10K-C 800 560 800 S10M-C 1000 700 1000 http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 *4 VF (V) Operating temperature T J, ( OC) *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage *3 Continuous reverse voltage 1.15 -55 to +150 Page 1 *4 Maximum forward voltage@I F=10.0 . A Document ID Issued Date Revised Date AS-3010017 2003/03/08 2022/05/16 Revision E Page. 3 PDF
Документация на S10A-C 

Author:

Дата модификации: 24.09.2014

Размер: 1.07 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)