S3M-B

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= HS3MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)
P= S3J SMBG (JSCJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= S3M SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= S3JB (LRC)
 

S3JB (ONS-FAIR) 		DO-214AA SMB
 
 — — — —
P= S3MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
 — — — — —
P= S3JBG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
 — — — — —
P= GS3MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= S3MBG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
 — — — — — — —
P= S3M (JSCJ)
 

S3M (DIODES) 		— в ленте 5999 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
S3A-B THRU S3M-B 3.0 A Surface Mount General Purpose Rectifiers - 50V-1000V Package outline Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Low reverse leakage Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds at terminals Glass passivated chip junction Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU Compliant to Halogen-free SMB/DO-214AA 0.155(3.94) 0.130(3.30) 0.086 (2.20) 0.071 (1.80) 0.183(4.65) 0.160(4.05) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.096(2.45) Mechanical data 0.081(2.05) Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any 0.060(1.52) 0.008(0.203)MAX. 0.030(0.76) 0.219(5.56) 0.202(5.14) Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT T A=25 oC unless otherwise noted) MAX. UNIT Forward rectified current See Fig.1 IO 3.0 A Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) I FSM 80 A PARAMETER Symbol CONDITIONS V R = V RRM T A = 25 OC Reverse current O V R = V RRM T A = 100 C MIN. TYP. 5.0 IR Thermal resistance Junction to ambient NOTE 1 R θJA 50 Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage CJ 60 Storage temperature T STG μA 50 O pF O +150 -65 C/W C Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas SYMBOLS *1 V RRM (V) V RMS*2 (V) *3 VR (V) S3A-B 50 35 50 S3B-B 100 70 100 S3D-B 200 140 200 S3G-B 400 280 400 S3J-B 600 420 600 S3K-B 800 560 800 S3M-B 1000 700 1000 http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 *4 VF (V) Operating temperature T J, ( OC) *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage *3 Continuous reverse voltage 1.10 -55 to +150 Page 1 *4 Maximum forward voltage@I F=3.0A Document ID Issued Date Revised Date Revision AS-3010010 2003/03/08 2022/08/16 E1 Page. 3 PDF
Документация на S3A-B 

Author:

Дата модификации: 24.09.2014

Размер: 1.1 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)