BM840F12B34U2-D

BM840F12B34U2 SiC Power Module VDSS = 1200V  General Description BYD SiC Power Module BM840F12B34U2 provides low switching, which introduce the advanced SiC MOSFET chip, it is able to take on a perfect performance in various applications with switching frequencies in the range of 1-30KHz.  概述 比亚迪碳化硅功率模块BM840F12B34U2提供低损和 高短路能力,内含先进的碳化硅MOSFET芯片,在1-30KHZ 频率...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Максимальный рабочий ток при 25°C
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на BM840F12B34U2 

Subject:

Дата модификации: 09.03.2023

Размер: 2.2 Мб

12 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 октября 2025
    статья

    Технические особенности и перспективы применения SiC-модулей вместо IGBT

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Популярность SiC–решений растет благодаря развитию технологий и расширению ассортимента производителей. Эти компоненты находят широкое применение по всему миру в электромобилях, промышленных приводах, источниках... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.