BM950F12B34U2

BYD
BM950F12B34U2 SiC Power Module VDSS = 1200V ID nom = 550A  General Description BYD SiC Power Module BM950F12B34U2 provides low switching, which introduce the advanced SiC MOSFET chip, it is able to take on a perfect performance in various applications with switching frequencies in the range of 1-30KHz.  概述 比亚迪碳化硅功率模块BM950F12B34U2提供低损 和 高 短 路 能 力 , 内 含 先 进 的 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид BM950F12B34U2
Внешний вид BM950F12B34U2
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Максимальный рабочий ток при 25°C
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BM950F12B34U2 SiC Power Module VDSS = 1200V ID nom = 550A  General Description BYD SiC Power Module BM950F12B34U2 provides low switching, which introduce the advanced SiC MOSFET chip, it is able to take on a perfect performance in various applications with switching frequencies in the range of 1-30KHz.  概述 比亚迪碳化硅功率模块BM950F12B34U2提供低损 和 高 短 路 能 力 , 内 含 先 进 的 碳 化 硅 MOSFET 芯 片 , 在 1-30KHZ频率的应用中表现出优良的性能。 关 键 特性  Key Features  The 3rd Generation Semiconductor Material-Silicon  第三代半导体材料-碳化硅 Carbide  Blocking Voltage 1200V  阻断电压 1200V  Low RDS（on）  低 RDS(on)  Low Switching Losses  低开关损耗  Low Qg and Cres  低 Qg 和 Crss  Low Inductive Design≤15nH  低电感设计≤15nH  Ag Sintering  银烧结工艺  Tvj op=175ºC  最大工作结温 175 ℃  Direct Cooled Cu PinFin Base Plate  直接冷却底板  High Performance Si3N4 Ceramic  高性能氮化硅陶瓷  Integrated NTC Temperature Sensor  集成化 NTC 温度传感器 应 用  Applications  Automotive Application  汽车级应用  AC Motor Control  电动车/混动车  Motion/Servo Control  电机驱动  Maximum applied voltage platform: 750V  最高支持 750V 电压平台 Datasheet WI-D06F08-H-0346 Rev.A/1 Page 1 of 14 PDF
Документация на BM950F12B34U2 

Subject:

Дата модификации: 09.03.2023

Размер: 2.49 Мб

14 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 октября 2025
    статья

    Технические особенности и перспективы применения SiC-модулей вместо IGBT

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Популярность SiC–решений растет благодаря развитию технологий и расширению ассортимента производителей. Эти компоненты находят широкое применение по всему миру в электромобилях, промышленных приводах, источниках... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PM731060DT-DT (CHIPOWN)