BSK040S120

BYD
BSK040S120 Genera Description 概述 Specifically designed for Automotive applications, this SiC Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per unit area. 本产品是一款专为汽车应用设计的碳化硅功率MOSFET产品，采用了先进的工艺技术，产品的单位面积导 通电阻非常低。 Features 特点  High Speed Switching with Low Capacitances 开关速度快，寄生电容小  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид BSK040S120
Внешний вид BSK040S120
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Максимальный рабочий ток при 25°C
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BSK040S120 Genera Description 概述 Specifically designed for Automotive applications, this SiC Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per unit area. 本产品是一款专为汽车应用设计的碳化硅功率MOSFET产品，采用了先进的工艺技术，产品的单位面积导 通电阻非常低。 Features 特点  High Speed Switching with Low Capacitances 开关速度快，寄生电容小  High Blocking Voltage with Low RDS(on) 阻断电压高，开通电阻低  100% avalanche tested 100%通过雪崩测试  Halogen Free and RoHS Compliant 无卤元素，符合 RoHS Typical Applications 典型应用  EV Charging EV 充电  DC-AC Inverters DC-AC 转换器  High Voltage DC/DC Converters 高压 DC/DC 变压器  Power Factor Correction Modules 功率因素矫正模块 Ordering Information 订货信息 Type 型号 BVDSS[V] 漏极-源极电压 RDSon[mΩ] 导通电阻 Tjmax[℃] 最高结温 Marking 标记 Packing 封装外形 BSK040S120 1200 40 175 BSK040S120 TO247-4 Datasheet Rev.A/0 Page 1 of 9 PDF
Документация на BSK040S120 

Subject:

Дата модификации: 29.03.2023

Размер: 3.28 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PM731060DT-DT (CHIPOWN)