CA-IS1200G

Chipanalog
ИМС токового монитора, в корпусе SO-8 (SOIC8), производства Chipanalog (CHIPANLG)
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Внешний вид CA-IS1200G

Технические характеристики

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Корпус SO-8 SOIC8
Диапазон допустимых напряжений смещения относительно общего провода
Коэффициент усиления по напряжению
Максимальное смещение (+/-)
Номинальная ширина полосы сигнала
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Файлы 3

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CA-IS1200U, CA-IS1200G 上海川土微电子有限公司 Version 1.01, 2022/12/20 CA-IS1200 Isolated Amplifier for Current Sensing • • • Differential Input Voltage Range: ±250 mV Fixed Initial Gain: 8 Low Input Offset and Drift: ±1 mV (max) at 25°C, ±4 μV/°C (max) Low Gain Error and Drift: ±0.5% (max) at 25°C, ±50 ppm/°C (max) Low Nonlinearity and Drift: 0.01% (typ) for Full Scale, ±1 ppm/°C (typ) 3.3-V or 5-V Operation for Both High- and Low-Side High CMTI: ±150 kV/µs (typ) Wide Operating Temperature Range: –40°C to 125°C Safety-Related Certifications (Pending) ▪ 7070-VPK (CA-IS1200G) Isolation per DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11): 2017-01 ▪ 5000-VRMS (CA-IS1200G) Isolation for 1 Minute per UL 1577 ▪ CQC and TUV Certification Approvals • • • • • • 2 Applications • • • Industrial Motor Controls and Drives Isolated Switch Mode Supplies Uninterruptible Power Supplies 3 Description The CA-IS1200 devices are high-precision isolated amplifiers and optimized for shunt-resistor-based current sensing. Low offset and gain error and drift guarantee that measuring accuracy is maintained over the entire operating temperature range. magnetic changes. The high common-mode transient immunity (CMTI) means that the CA-IS1200 devices transmit correct signals through isolation barriers and are suitable for industrial motor controls and drives which require high-voltage and high-power switching. The internal input common-mode overvoltage and missing high-side supply voltage detection functions contribute to fault diagnostics and system safety. The CA-IS1200 devices are packaged in 8-pin DUB or widebody SOIC packages and specified over the extended industrial temperature range of –40°C to 125°C. Device Information PART NUMBER PACKAGE BODY SIZE (NOM) CA-IS1200U DUB8 (U) 9.20 mm × 6.62 mm CA-IS1200G SOIC8-WB (G) 5.85 mm × 7.50 mm Simplified Schematic Isolated Supply VDD1 VINP VINN The CA-IS1200 devices utilize silicon oxide (SiO2) isolation barriers and support up to 3750-VRMS (CA-IS1200U) or 5000VRMS (CA-IS1200G) galvanic isolation per UL 1577. This technology separates high- and low-voltage domain to protect lower-voltage parts from damage and provides low emissions as well as strong anti-interference capability from Copyright © 2021, Chipanalog Incorporated 上海川土微电子有限公司 Low-side Supply VDD2 Isolation Barrier Key Features Rshunt 1 GND1 VOUTP ADC VOUTN GND2 CA-IS1200 PDF
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CA-IS1200U, CA-IS1200G 上海川土微电子有限公司 Version 1.01, 2022/12/20 CA-IS1200 用于电流检测的隔离式运放 • • • 差分输入电压范围：±250 mV 固定初始增益：8 低输入失调和温漂：25°C 时±1 mV（最大值） ，±4 μV/°C（最大值） 低增益误差和温漂： 25°C 时±0.5%（最大值），±50 ppm/°C（最大值） 低非线性度和温漂： 额定范围内 0.01%（典型值），±1 ppm/°C（典型 值） 高边和低边均支持 3.3 V 和 5 V 供电电压 高共模瞬态抗扰度：±150 kV/µs（典型值） 宽工作温度范围：–40°C 到 125°C 安全和法规认证（申请中） ▪ 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11): 2017-01 标准的 7070 VPK (CA-IS1200G)隔离耐压 ▪ 符合 UL 1577 认证， 1 分钟 5000 VRMS (CAIS1200G) ▪ CQC 和 TUV 相关认证 • • • • • • 2 应用 • • • 工业电机控制和驱动 隔离式开关电源 不间断电源 3 概述 CA-IS1200 器件是为基于分流电阻的电流检测而优化的 高精度隔离式运放。低的失调和增益误差以及相关温漂 能够在全工作温度范围内保持测量的精度。 域分开从而防止低压器件被损坏，同时提供低辐射和高 磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度（CMTI）意味着 CAIS1200 器件在隔离层之间正确地传递信号，适合要求高 压、大功率开关的工业电机控制和驱动应用场合。器件 内部输入共模过压和高边电源丢失检测功能有助于故障 诊断和系统安全。 CA-IS1200 器件采用 DUB8 或者宽体八脚 SOIC 封装 ，支 持在额定扩展工业温度范围内（–40°C 到 125°C）正常 工作。 器件信息 器件型号 封装 封装尺寸（标称值） CA-IS1200U DUB8 (U) 9.20 mm × 6.62 mm CA-IS1200G SOIC8-WB (G) 5.85 mm × 7.50 mm 简化电路图 Isolated Supply Low-side Supply VDD1 VINP VINN VDD2 Isolation Barrier 产品特性 Rshunt 1 GND1 Copyright © 2021, Chipanalog Incorporated 上海川土微电子有限公司 ADC VOUTN GND2 CA-IS1200 CA-IS1200 器件采用二氧化硅（SiO2）作为隔离层，支持 符合 UL 1577 认证的高达 3750 VRMS（CA-IS1200U）或 5000 VRMS（CA-IS1200G）的电气隔离。该技术将高低压 VOUTP PDF
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CA-IS1200U, CA-IS1200G 上海川土微电子有限公司 Version 1.00, 2022/01/17 CA-IS1200 用于电流检测的隔离式运放 • • • 差分输入电压范围：±250 mV 固定初始增益：8 低输入失调和温漂：25°C 时±1 mV（最大值） ，±4 μV/°C（最大值） 低增益误差和温漂： 25°C 时±0.5%（最大值） ，±50 ppm/°C（最大值） 低非线性度和温漂： 额定范围内 0.01%（典型值） ，±1 ppm/°C（典型 值） 高边和低边均支持 3.3 V 和 5 V 供电电压 高共模瞬态抗扰度：±150 kV/µs（典型值） 宽工作温度范围：–40°C 到 125°C 安全和法规认证（申请中） ▪ 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11): 2017-01 标准的 7070 VPK (CA-IS1200G)隔离耐压 ▪ 符合 UL 1577 认证， 1 分钟 5000 VRMS (CAIS1200G) ▪ CQC 和 TUV 相关认证 • • • • • • 2 应用 • • • 工业电机控制和驱动 隔离式开关电源 不间断电源 3 概述 CA-IS1200 器件是为基于分流电阻的电流检测而优化的 高精度隔离式运放。低的失调和增益误差以及相关温漂 能够在全工作温度范围内保持测量的精度。 域分开从而防止低压器件被损坏，同时提供低辐射和高 磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度（CMTI）意味着 CAIS1200 器件在隔离层之间正确地传递信号，适合要求高 压、大功率开关的工业电机控制和驱动应用场合。器件 内部输入共模过压和高边电源丢失检测功能有助于故障 诊断和系统安全。 CA-IS1200 器件采用 DUB8 或者宽体八脚 SOIC 封装 ，支 持在额定扩展工业温度范围内（–40°C 到 125°C）正常 工作。 器件信息 器件型号 封装 封装尺寸（标称值） CA-IS1200U DUB8 (U) 9.20 mm × 6.35 mm CA-IS1200G SOIC8-WB (G) 5.85 mm × 7.50 mm 简化电路图 Isolated Supply Low-side Supply VDD1 VINP VINN VDD2 Isolation Barrier 产品特性 Rshunt 1 GND1 Copyright © 2021, Chipanalog Incorporated 上海川土微电子有限公司 ADC VOUTN GND2 CA-IS1200 CA-IS1200 器件采用二氧化硅（SiO2）作为隔离层，支持 符合 UL 1577 认证的高达 3750 VRMS（CA-IS1200U）或 5000 VRMS（CA-IS1200G）的电气隔离。该技术将高低压 VOUTP PDF
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    CA-IS1300G25G (CHIPANLG)