PN7762SEC-R1

Chipown
Chipown PN7762/3/4 具有 5A 峰值驱动电流的双通道低侧栅极驱动芯片 概述 应用领域 PN7762/3/4是一款双通道、高速低侧栅极驱动 芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT 的驱动开关。    PN7762/3/4的输出可以提供高达5A拉电流和5A 灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信 号的传播延时极小，典型值为22ns。此外，该 芯片的两个通道之间的传播匹配延时小于2ns， 可将两个通道并联使用。 封装/订购信息 开关模式电...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид серии PN7762

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Опции Два канала могут использоваться параллельно
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Chipown PN7762/3/4 具有 5A 峰值驱动电流的双通道低侧栅极驱动芯片 概述 应用领域 PN7762/3/4是一款双通道、高速低侧栅极驱动 芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT 的驱动开关。    PN7762/3/4的输出可以提供高达5A拉电流和5A 灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信 号的传播延时极小，典型值为22ns。此外，该 芯片的两个通道之间的传播匹配延时小于2ns， 可将两个通道并联使用。 封装/订购信息 开关模式电源 电机控制 功率MOSFET和IGBT栅极驱动器 SOP8 该芯片的输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号 控制，具有良好的抗干扰性。 ENA ENB INA OUTA GND VDD INB OUTB 特性          DFN3×3 8 ENB ENA 1 宽电源电压范围：4.5V～30V 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值拉电流和灌电流 快速传播延时（典型值22ns） 快速上升和下降时间（典型值7ns） 两通道间延时匹配时间典型值为1ns 针对更高的驱动电流，两个输出可以并联 使用 当输入管脚悬空时，输出保持为低电平 采用DFN3×3和SOP8封装 INA 2 7 OUTA GND 3 6 VDD INB 4 5 OUTB 订购代码 封装 PN7762SEC-R1 SOP8 PN7763SEC-R1 SOP8 PN7764SE-A1 SOP8 PN7762DF-A1 DFN3×3 PN7763DF-A1 DFN3×3 PN7764DF-A1 DFN3×3 典型电路 VDD PN7762/3/4 VDD Load1 4.5V~30V Rg1 Gate Driver ENA Control Logic OUTA Load2 VDD INA Rg2 ENB Gate Driver INB www.chipown.com OUTB GND 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1.0 1/16 PDF
Документация на PN7762SEC-R1 

Chipown

Дата модификации: 20.07.2023

Размер: 670 Кб

16 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MS4931 (RUIMENG)