BL24C16F-PARC
EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 16.38 кбит, в корпусе SOP8L . Особенности: 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOP8L | |
|---|---|---|
| Тип памяти | ||
| Подтип памяти | ||
| Интерфейс | ||
| Объём памяти | ||
| Организация памяти | ||
| Напряжение питания | ||
| Особенности: 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V | ||
| Рабочая температура | ||
| Время доступа | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Подтип | Интерфейс | Объём | Организация | Напряжение | Особенности | T раб | Время доступа | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A- | BL24C16F-RRRC (CN BELL) | — | 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.