CRG50T60AK3HD

CR Micro
Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description ： VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 50 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 500 W performances. RoHS Compliant. VCE(sat) 1.8 V TO-247 Features： ● FS Trench Technology, Positive temperature coefficient ● Low saturation voltage： VCE(sa...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO-247-3
  • Норма упаковки: 480  шт. (в линейках)

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
P= NCE60TD65BT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт

Файлы 1

показать свернуть
Silicon FS Trench IGBT CRG50T60AK3HD General Description ： VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 50 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 500 W performances. RoHS Compliant. VCE(sat) 1.8 V TO-247 Features： ● FS Trench Technology, Positive temperature coefficient ● Low saturation voltage： VCE(sat),TYP=1.8V @IC=50A,VGE=15V ； Applications ● Welding ● Solar Inverter ● UPS Package Parameters Type Marking Package Packing CRG50T60AK3HD G50T60AK3HD TO-247 Tube W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of9 2 0 2 2 V0 1 PDF
Документация на CRG50T60AK3HD 

产品特点：

Дата модификации: 02.11.2023

Размер: 1.15 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.