1N4148

DC Components
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 150 мА , производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO35
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148 A0 (TSC)
 
TO220AB 5000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
P= 1N914B A0G (TSC)
 
TO220AB 5000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
P= 1N4448 A0 (TSC)
 
TO220AB 5000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
P= 1N4448 A0G (TSC)
 
TO220AB 5000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
F~ 1N4148 T/B (DC)
 
DO35 в ленте 5000 шт — — — — — —
F~ 1N4148 A0G (TSC)
 
DO35 5000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
1N914 DC COMPONENTS CO., LTD. R THRU RECTIFIER SPECIALISTS 1N 4148 1N 4454 TECHNICAL SPECIFICATIONS OF HIGH SPEED SWITCHING DIODES VOLTAGE RANGE -50 to 100 Volts CURRENT - 0.075 to 0.2 Ampere FEATURES * * * * * Silicon epitaxial planar diodes Low power loss, high efficiency Low leakage Low forward voltage High speed switching DO-34 / DO-35 * High current capability * High reliability MECHANICAL DATA * * * * * Case: Glass sealed case Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed Polarity: Color band denotes cathode end Mounting position: Any Weight: 0.13 gram 0.52Ø 25.0MIN L 2.0MAX 25.0MIN DO-34 DO-35 MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS L: Ratings at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. 2.9 MAX 4.2 MAX Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in millimeters SYMBOL Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum Average Rectified Current Maximum Power Dissipation Tamb=25oC Maximum Forward Voltage 1N914 1N4148 1N4150 1N4151 1N4154 1N4448 1N4454 100 100 50 75 35 100 75 V Io 75 150 200 150 150 150 150 mA 500 500 500 500 500 500 Ptot 250 VF 1.0/10 1.0/10 1.0/200 1.0/50 5000/75 5000/75 100/50 50/50 V/mA 100/25 5000/75 100/10 nA/V IR Maximum Reverse Recovery Time trr Typical Junction Capacitance CJ 4.0 TJ,TSTG -65 to + 200 4.0 4.0 4.0 mW 1.0/30 1.0/100 1.0/10 Maximum Reverse Current Operating and Storage Temperature Range UNITS VRRM 2.0 2.0 4.0 4.0 nS pF o C NOTE: 1-1N914A, 1N914B IS SAME AS 1N914, EXCEPT DIFFERENT IN FORWARD VOLTAGE: 1N914A-1.0/20 V/mA 1N914B-1.0/100 V/mA 2.Suffix "M" stands for "DO-34" package.(e.g.:1N4148M) 98 NEXT BACK NEXT EXIT BACK PDF
Документация на 1N4148 

Дата модификации: 12.01.2017

Размер: 173.2 Кб

2 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 декабря
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD01060E (CREE PWR)