1N5399

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1.3 А, с падением напряжения 1.5 В, в корпусе DO-204AC (DO-15), производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-204AC DO-15
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр tов Сперех Tраб Монтаж Карточка
товара
P= 1N5399 (DIOTEC) DO-204AC DO-15 в коробках 4000 шт
 
A- FR157 (DC) DO-204AC DO-15 в коробках 1500 шт
A- FR207 (DC) DO-204AC DO-15 в коробках 1500 шт
A- FR157 (MIC) DO-204AC DO-15 в коробках 500 шт
A- FR207 (MIC) DO-204AC DO-15 в коробках 1500 шт Выпрямительный диод - [DO-15]; Uобр: 1 кВ; Uпрям: 1.3 В; Iпрям: 2 А; N: 1; tов: 500 нс

Файлы 1

показать свернуть
1N5391 ... 1N5399 1N5391 ... 1N5399 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-04-16 Nominal current Nennstrom 6.3±0.1 Type 62.5±0.5 Ø 3±0.05 Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] 1.5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-15 DO-204AC Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N5391 50 100 1N5392 100 200 1N5393 200 300 1N5394 300 400 1N5395 400 500 1N5396 500 600 1N5397 600 800 1N5398 800 1000 1N5399 1000 1200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C TA = 100°C IFAV 1.5 A 1) 0.9 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 )Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на 1N5399 

Дата модификации: 13.07.2010

Размер: 89.5 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.