G3S06504A

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 650 В, ток до 4 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 181 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G3S06504A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC004065NNI (WAYON)
 
— 50 шт
 
 — — — — — — — — — — —
A- G4S06508AT (GPT)
 
TO220AC в линейках 200 шт — — —
A- G3S06506A (GPT)
 
TO220AC в линейках 300 шт
 
 — — —
A- G3S06508A (GPT)
 
TO220AC
 
 — — —

Файлы 2

показать свернуть
G3S06504A Silicon Carbide Schottky Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior VRRM 650V IF (TC = 150°C) 4A Qc 10nC • High temperature operation • High frequency operation Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices TO-220AC Inner Circuit • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, PFC • Solar application, UPS, EV/HEV • Motor drives, Wind turbine, Rail traction www.globalpowertech.cn ©2022 Global Power Technology Co., Ltd. All Rights Reserved G = GPT 3 = Gen3 S = SiC Schottky Diode 065 = Voltage Rating 650V 04 = Current Rating 4A A = TO-220AC DDDDDD = Traceable Code Rev. B.1 2022 Page 1 of 7 PDF
Документация на G3S06504A 

Дата модификации: 11.05.2022

Размер: 678.4 Кб

7 стр.

Datasheet V2019.1.0 G3S06504A 650V/ 4A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Rated to 650V at 4 Amps • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behaviour • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 650 V IF, Tc≤150℃ 4 A QC 11 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S06504A TO-220AC G3S06504A G3S06504A ©2019 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S06504A 

1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 21.11.2019

Размер: 1.01 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)