G3S06508C

GPT
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 8 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 550 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G3S06508C

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC010065NPO (WAYON)
 
— 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — —
A- G3S06510C (GPT)
 
TO252 в ленте 100 шт — —

Файлы 2

показать свернуть
G3S06508C Silicon Carbide Schottky Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior VRRM 650V IF (TC = 153.5°C) 8A Qc 28nC • High temperature operation • High frequency operation Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices TO-252 Inner Circuit • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, PFC • Solar application, UPS, EV/HEV • Motor drives, Wind turbine, Rail traction www.globalpowertech.cn ©2022 Global Power Technology Co., Ltd. All Rights Reserved G = GPT 3 = Gen3 S = SiC Schottky Diode 065 = Voltage Rating 650V 08 = Current Rating 8A C = TO-252 DDDDDD = Traceable Code Rev. B.0 2022 Page 1 of 7 PDF
Документация на G3S06508C 

Дата модификации: 26.05.2022

Размер: 531.6 Кб

7 стр.

Datasheet V2019.1.0 G3S06508C 650V/ 8A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Rated to 650V at 8 Amps • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behaviour • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM IF, Tc≤150℃ QC 650 V 8 A 30 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S06508C TO-252 G3S06508C G3S06508C ©2019 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S06508C 

1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 19.01.2020

Размер: 1.13 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 декабря 2023
    новость

    SMD-термисторы Joinset для широкого спектра применений

    С 2002 года компания Joinset производит множество типов NTC/PTC–термисторов, предназначенных для промышленных приложений, автомобилестроения, медицины и бытовой техники. Вся продукция соответствует экологической политике ЕС RoHS и не... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)