Вход / Регистрация

G3S065100P

GPT
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 100 А, с падением напряжения 2 В, ёмкостью перехода 0.014 мкФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G3S065100P

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.1 G3S065100P 650V/ 100A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM IF, Tc≤135℃ QC 650 V 100 A 385 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S065100P TO-247AC G3S065100P G3S065100P ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S065100P 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 1.18 Мб

5 стр.

Datasheet V2019.1.0 G3S065100P 650V/ 100A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Rated to 650V at 100 Amps • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behaviour • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 650 V IF - A QC 385 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S065100P TO-247AC G3S065100P G3S065100P ©2019 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S065100P 

1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 25.11.2019

Размер: 501.1 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    19 ноября 2024
    новость

    Как выбрать идеальный силовой модуль: решения SUNCO для силовой электроники (материалы вебинара)

    3 декабря состоялся вебинар, посвященный силовым модулям ведущего китайского производителя SUNCO. Эта компания на рынке – уже более 20 лет и по праву является одним из мировых лидеров по производству дискретных полупроводниковых компонентов. На... ...читать

    22 декабря 2023
    новость

    SMD-термисторы Joinset для широкого спектра применений

    С 2002 года компания Joinset производит множество типов NTC/PTC–термисторов, предназначенных для промышленных приложений, автомобилестроения, медицины и бытовой техники. Вся продукция соответствует экологической политике ЕС RoHS и не... ...читать

    25 ноября 2022
    новость

    Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT

    Полупроводники на основе карбида кремния (SiC) имеют огромные перспективы в области силовой электроники. В Китае карбид–кремниевая промышленность – одно из направлений национального плана развития науки и техники, относящееся к национальной... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)