G3S06516B

GPT
Диод выпрямительный 2 на напряжение до 650 В, ток до 16 А, с падением напряжения 1.7 В, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G5S12030BH
Внешний вид G3S06516B
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC016065NPS (WAYON)
 
— 30 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= G4S06520BT (GPT)
 
TO2473 в линейках 30 шт — — — —
P= WSRSIC020065NP8 (WAYON)
 
TO2473 30 шт
 
 — — — — — —
A- G3S06520B (GPT)
 
TO2473 в линейках 240 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
Datasheet V2022.A.0 G3S06516B 650V/16A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 650 V IF, Tc≤154℃ 8* A QC 28* nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S06516B TO-247AB G3S06516B *Per leg; **Per device G3S06516B ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S06516B 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 21.01.2022

Размер: 755.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)