G3S12010M

GPT
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 765 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G3S12010M

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.1 G3S12010M 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM 1200 V 10 A 54.4 nC IF, Tc≤142℃ QC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G3S12010M TO-220F G3S12010M G3S12010M ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S12010M 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 600.6 Кб

5 стр.

Datasheet V2019.1.0 G3S12010M 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Rated to 1200V at 10 Amps • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behaviour • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM IF, Tc≤140℃ QC 1200 V 10 A 54.4 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. G3S12010M G3S12010M Package Type TO-220F Marking G3S12010M ©2019 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G3S12010M 

1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 26.11.2019

Размер: 954.9 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    22 июля 2025
    статья

    Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Применение карбид–кремниевых компонентов позволяет повысить КПД, сократить габариты и увеличить надежность силовых устройств. Китайские компании предлагают SiC–компоненты, сопоставимые по характеристикам с... ...читать

    27 июня 2025
    новость

    SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

    Эффективность, надежность и доступность – ключевые преимущества современных компонентов на базе карбида кремния (SiC), которые уже сегодня доступны со склада КОМПЭЛ. Они находят широкое применение в электромобилях, зарядных станциях, промышленных... ...читать

    22 декабря 2023
    новость

    SMD-термисторы Joinset для широкого спектра применений

    С 2002 года компания Joinset производит множество типов NTC/PTC–термисторов, предназначенных для промышленных приложений, автомобилестроения, медицины и бытовой техники. Вся продукция соответствует экологической политике ЕС RoHS и не... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)