19 мая 2025
новость
G4S06510AT
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 550 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: Выпрямительные диоды
- Корпус: TO220AC
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO220AC | |
|---|---|---|
| Схема включения диодов |  | |
| Максимальное обратное напряжение диода |  | |
| Прямой ток диода (средний) |  | |
| Прямое падение напряжения |  | |
| Особенности |  | |
| Обратный ток диода |  | |
| Емкость перехода |  | |
| Рабочая температура |  | |
| Монтаж |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Сборка | Uобр | Iпрям | Uпрям | Особенности | Iобр | t ов | Сперех | T раб | Монтаж | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A- | G3S06510A (GPT) | TO220AC | в линейках 500 шт |
|  |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — | |
| A- | G4S06515AT (GPT) | TO220AC | в линейках 100 шт |
|  |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |
Файлы 2
показать свернуть
Документация на G4S06510AT
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:
Дата модификации: 14.09.2020
Размер: 555.2 Кб
5 стр.
Документация на G4S06510AT
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:
Дата модификации: 24.07.2020
Размер: 527.3 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.