G4S06510DT

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 650 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 550 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G4S06510DT

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC010065NPM (WAYON)
 
TO2632L 50 шт
 
 — — — —

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.0 G4S06510DT 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM 650 V IF, Tc≤153℃ 10 A QC 29 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G4S06510DT TO-263 G4S06510DT G4S06510DT ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G4S06510DT 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 546.2 Кб

5 стр.

Datasheet V2020.A.0 G4S06510DT 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM 650 V IF, Tc≤153℃ 10 A QC 29 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G4S06510DT TO-263 G4S06510DT G4S06510DT ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G4S06510DT 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 24.07.2020

Размер: 518.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)