G5S12002C

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 1200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 170 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G5S12002C

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC002120NPO (WAYON)
 
TO2522L в ленте 50 шт
 
 — — — —

Файлы 2

показать свернуть
G5S12002C Silicon Carbide Schottky Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior VRRM 1200V IF (TC = 164°C) 2A Qc 12nC • High temperature operation • High frequency operation Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices TO-252 Inner Circuit • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, PFC • Solar application, UPS, EV/HEV • Motor drives, Wind turbine, Rail traction www.globalpowertech.cn ©2022 Global Power Technology Co., Ltd. All Rights Reserved G = GPT 5 = Gen5 S = SiC Schottky Diode 120 = Voltage Rating 1200V 02 = Current Rating 2A C = TO-252 DDDDDD = Traceable Code Rev. B.0 2022 Page 1 of 7 PDF
Документация на G5S12002C 

Дата модификации: 09.05.2022

Размер: 568.7 Кб

7 стр.

Datasheet V2020.A.0 G5S12002C 1200V/2A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM IF, Tc≤160℃ QC 1200 V 2 A 12 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G5S12002C TO-252 G5S12002C G5S12002C ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12002C 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 600.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)