G5S12005C

GPT
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1.38 В, ёмкостью перехода 22 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G5S12005C
Внешний вид G5S12005C
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
G5S12005C Silicon Carbide Schottky Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior VRRM 1200V IF (TC = 161°C) 5A Qc 28nC • High temperature operation • High frequency operation Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices TO-252 Inner Circuit • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, PFC • Solar application, UPS, EV/HEV • Motor drives, Wind turbine, Rail traction www.globalpowertech.cn ©2022 Global Power Technology Co., Ltd. All Rights Reserved G = GPT 5 = Gen5 S = SiC Schottky Diode 120 = Voltage Rating 1200V 05 = Current Rating 5A C = TO-252 DDDDDD = Traceable Code Rev. B.0 2022 Page 1 of 7 PDF
Документация на G5S12005C 

Дата модификации: 09.05.2022

Размер: 562 Кб

7 стр.

Datasheet V2021.A.0 G5S12005C 1200V/5A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation Key Characteristics VRRM IF, Tc≤159℃ QC 1200 V 5 A 28.7 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. G5S12005C G5S12005C Package Type TO-252 Marking G5S12005C ©2021 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12005C 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 08.02.2021

Размер: 696.7 Кб

5 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    22 июля 2025
    статья

    Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Применение карбид–кремниевых компонентов позволяет повысить КПД, сократить габариты и увеличить надежность силовых устройств. Китайские компании предлагают SiC–компоненты, сопоставимые по характеристикам с... ...читать

    27 июня 2025
    новость

    SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

    Эффективность, надежность и доступность – ключевые преимущества современных компонентов на базе карбида кремния (SiC), которые уже сегодня доступны со склада КОМПЭЛ. Они находят широкое применение в электромобилях, зарядных станциях, промышленных... ...читать

    19 августа 2024
    статья

    LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

    Игорь Елисеев (г. Химки) Светодиодные драйверы для промышленных решений должны обладать определенным наборов характеристик, например, иметь высокий класс защиты от внешних воздействующих факторов, хорошую устойчивость к импульсным помехам и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)