G5S12040BM

GPT
Диод выпрямительный 2 на напряжение до 1200 В, ток до 40 А, с падением напряжения 1.7 В, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G5S12040BM

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC040120NP8 (WAYON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —
P= YJD112030NG1 (YJ)
 
—
 
 — Silicon Carbide Schottky Diode

Файлы 1

показать свернуть
Datasheet V2020.A.0 G5S12040BM 1200V/40A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM IF, Tc≤153℃ QC 1200 V 20* A 104* nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G5S12040BM TO-247AB G5S12040BM *Per leg; **Per device G5S12040BM ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G5S12040BM 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 20.10.2020

Размер: 686.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)