10MQ100N

Hottech
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 520 мВ, ёмкостью перехода 38 пФ, производства Hottech (HOTTECH)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC SMA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 10MQ100 (HOTTECH)
 
— в ленте 2000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
10MQ100N SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES  High frequency operation  Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability  Low forward voltage drop  Designed and qualified for industrial level  Surface Mount device MECHANICAL DATA     Case: SMA(DO-214AC) Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.065 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS(TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Value Unit 100 V 100 V 2.1 1.5 120 80 1.0 0.5 -55 ~+150 -55 ~+150 A A A °C/W mJ A °C °C Symbol VRRM Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage DC Blocking Reverse Voltage VR Maximum Average Forward Rectified Current Maximum average forward current(TJ=125°C) Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t@=8.3ms IF(AV) IF(AV) IFSM RθJA EAS IAR TJ TSTG Thermal Resistance From Junction To Ambient Non-repetitive avalanche energy(TJ=25°C,IAS=0.5A, L=8mH) Repetitive avalanche current Junction Temperature(Note2) Storage Temperature ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max 0.78 0.85 VF Forward voltage(Note1) 0.63 0.68 0.1 IR Reverse current(TJ= 25°C)(Note1) 1 I R Reverse current(TJ=125°C)(Note1) VF(TO 0.52 Threshold voltage ) t 78.4 R Forward slope resistance 38 CT Typical junction capacitance 2.0 LS Typical series inductance 10000 dV/dt Maximum voltage rate of change Note (1) (2) Unit V V V V mA mA V mΩ pF nH V/μs Conditions IF=1A, TJ = 25 °C IF=1.5A, TJ = 25 °C IF=1A, TJ = 125 °C IF=1.5A, TJ = 125 °C VR=100V VR=100V TJ = TJ maximum TJ = TJ maximum VR=10VDC,f=1MHz Measured lead to lead 5 mm from package body Rated VR Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2 % dP tot 1 ------------- < -------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink dT R J thJA ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/4 PDF
Документация на 10MQ100N 

Subject:

Дата модификации: 31.10.2018

Размер: 417.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1206-B2100 (BOURNS)