Вход / Регистрация

ES1JF

Hottech
ES1AF-ES1JF SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER FEATURES  Glass Passivated Die Construction  Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  Ideally Suited for Automated Assembly  Plastic Material: UL Flammability Classification Rating 94V-0 SMAF MECHANICAL DATA 10  Case: SMAF Molded plastic  Terminals: Pure tin plated, lead free Ca...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: SMAF

Файлы 1

показать свернуть
ES1AF-ES1JF SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER FEATURES  Glass Passivated Die Construction  Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  Ideally Suited for Automated Assembly  Plastic Material: UL Flammability Classification Rating 94V-0 SMAF MECHANICAL DATA 10  Case: SMAF Molded plastic  Terminals: Pure tin plated, lead free Cathode  Polarity: Indicated by cathode band  Weight: 27mg (approx.) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. ES1AF ES1BF ES1CF ES1DF ES1EF ES1GF ES1JF Unit V RRM 50 100 150 200 300 400 600 V Maximum RMS Voltage V RMS 35 70 105 140 210 280 420 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 50 100 150 200 300 400 600 V Maximum Average Forward Rectified Current at T A =75 °C I F(AV) 1.0 A Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC) I FSM 30.0 A Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1 A VF Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage IR 5.0 100.0 µA Maximum reverse recovery time (NOTE1) t rr 35 nS Typical Junction Capacitance (NOTE2) CJ 15.0 pF Maximum Thermal Resistance (NOTE3) R θJL 60.0 °C/W Operating and Storage Temperature Range T J, TS - 50 to + 150 °C Parameter Symbol Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage T A = 25 °C T A =100 °C 0.95 1.25 1.7 V Note: 1.Reverse recovery condition I F =0.5A,I R =1.0A,Irr=0.25A 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/3 PDF
Документация на ES1JF 

Subject:

Дата модификации: 03.08.2017

Размер: 198 Кб

3 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    06 ноября 2024
    новость

    Применение полупроводниковых приборов JSCJ в стиральных машинах

    Современные стиральные машины – высокотехнологичные устройства, в которых электромеханические контроллеры давно уступили место электронным, использующим большое количество разнообразных полупроводниковых приборов. Для построения электронных узлов... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.