B5817WS

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 20 В, ток до 1 А, с падением напряжения 750 мВ, ёмкостью перехода 120 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P+ B5818WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon
P= DSK14-N (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= LMBR120ET1G (LRC)
 
— 300 шт
 
 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
P= BAT760 (SHIKUES)
 
SOD323 1 шт
 
 — — — — — — —
F~ B5817WS (YJ)
 
SOD323 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
A- B5817WS SJ (JSCJ)
 
SOD323 — —
A- B5817WSQ (YJ)
 
—
 
 — Small Signal Schottky Rectifier
A- B2020WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes B5817WS-5819WS SCHOTTKY BARRIER DIODE SOD-323 FEATURES For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polarity protection applications MARKING: B5817WS:SJ B5818WS:SK B5819WS:SL The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol B5818WS B5817WS B5819WS Unit Non-repetitive peak reverse voltage VRM 20 30 40 V Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage VRRM VRWM VR 20 30 40 V RMS reverse voltage VR(RMS) 14 21 28 V Average rectified output current IO Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms Repetitive peak forward current 1 A IFSM 9 A IFRM 1.5 A Pd 250 mW Thermal resistance junction to ambient RθJA 400 ℃/W Operating Junction Temperature Range TJ 125 ℃ TSTG -55~+150 ℃ Power dissipation Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25℃ unles s other wise specified) Pa rameter Symbol Test c onditions IR= 1mA Reverse breakdown voltage Reverse voltage leakage current Forward voltage VF VR= 20V VR= 30V VR= 40V B5817WS IF=1A 0.45 IF=3A 0.75 IF=1A 0.55 IF=3A 0.875 IF=1A 0.6 IF=3A 0.9 B5818WS B5819WS Diode capacitance www.jscj-elec.com CD Max B5817WS B5818WS B5819WS B5817WS B5818WS B5819WS V(BR) IR Min VR=4V, f=1MHz 1 20 30 40 Unit V 1 120 mA V V V pF Rev. - 2.1 PDF
Документация на B5817WS 

Microsoft Word - B5817WS-5819WS_SOD-323_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 754.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)