BAT54AW

JSCJ
Диод выпрямительный 2, общий анод на напряжение до 30 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAT54AWT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54AW (ANBON)
 
SOT-323-3 — — — — —
P= BAT54AW (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — — — —
P= BAT54AWT (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
A- BAS40WT-06 (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAT54W/AW/CW/SW SCHOTTKY BARRIER DIODE SOT-323 FEATURES Extremely Fast Switching Speed z Low forward voltage z MARKING: BAT54W BAT54AW BAT54CW BAT54SW Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM Value Unit 30 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 200 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 600 mA Repetitive Peak Forward Current @ t≤1s,δ≤0.5 IFRM 300 mA Power Dissipation PD 200 mW RΘJA 500 ℃/W Tj -40 ~ +125 ℃ Tstg -55 ~ +150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage Reverse current Symbol V(BR) Test conditions IR=100μA = VR 25V IR www.jscj-elec.com Unit V μA 0.24 V 0.32 V = IF3 10mA VF 0.40 V = IF4 30mA 0.50 V 1 V 10 pF 5 ns = IF5 100mA Reverse recovery time Max 2 = IF2 1mA Diode capacitance Typ 30 = IF1 0.1mA Forward voltage Min = VR 1V,f 1MHz CD = trr IF=IR=10mA Irr=0.1×IR,RL=100Ω 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на BAT54AW 

Microsoft Word - BAT54W,AW,CW,SW SOT-323

Дата модификации: 09.09.2020

Размер: 741.6 Кб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAT54W/AW/CW/SW SCHOTTKY BARRIER DIODE SOT-323 FEATURES Extremely Fast Switching Speed z Low forward voltage z MARKING: BAT54W BAT54AW BAT54CW BAT54SW Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM Value Unit 30 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 200 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 600 mA Repetitive Peak Forward Current @ t≤1s,δ≤0.5 IFRM 300 mA Power Dissipation PD 200 mW RΘJA 500 ℃/W Junction Temperature Tj 125 ℃ Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Reverse voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage VF Diode capacitance CD Reverse recovery time trr www.cj-elec.com Test conditions IR=100μA Min Typ Max 30 Unit V 2 μA IF1=0.1mA 0.24 V IF2=1mA 0.32 V IF3=10mA 0.40 V IF4=30mA 0.50 V IF5=100mA 1 V VR=0V,f=1MHz 10 pF 5 ns VR=25V IF=IR=10mA Irr=0.1×IR,RL=100Ω 1 F,Oct,2015 PDF
Документация на BAT54AW 

Microsoft Word - BAT54W,AW,CW,SW SOT-323

Дата модификации: 21.10.2015

Размер: 704.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)