CT314Q-800C

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263K Plastic-Encapsulate Thyristors CT 314Q 3Q TRIACs MAIN CHARACTERISTICS 1 4A IT(RMS) VDRM/VRRM CT314Q-600S/C/B 600V CT314Q-800S/C/B 800V 1.55V VTM TO-263K 1.MAIN TERMINAL 1 2.MAIN TERMINAL 2 3.GATE FEATURES  NPNPN 5-layer Structure TRIACs  Mesa Glass Passivated Technology  Multi Layers Metal Electrodes  High Junction Tempe...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип управляемого диода
Максимальное рабочее напряжение
Ток коммутации номинальный
Напряжение удержания открытого состояния
Ток управляющего электрода на включение
Примечание NPNPN 5-layer Structure TRIACs
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.