FFM106-M

JSCJ
Диод выпрямительный , с падением напряжения 1.3 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123FL Plastic-Encapsulate Diodes FFM10 1- M THRU FFM10 7 - M Fast Recovery Rectifier Diodes Features ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V SOD-1 23FL ●High surge current capability ● Polarity: Color band denotes cathode Applications ● Rectifier Marking ● FX X : From 1 To 7 Limiting Values(Absolute Maximum Rating) Item Symbol Unit FFM10 Test Conditions 1-M 2-M 3-M 4-M 5-M 6-M 7-M Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 70 140 280 420 560 700 Average Forward Current IF(AV) A 60Hz Half-sine wave， Resistance load，Ta=90℃ 1.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM A 60Hz Half-sine wave， 1 cycle，Ta=25℃ 30 TJ ℃ -55 ~ +150 TSTG ℃ -55 ~ +150 6-M 7-M Junction Temperature Storage Temperature Electrical Characteristics (T=25℃ Unless otherwise specified） Symbol Unit Peak Forward Voltage VF V Maximum reverse recovery time trr ns Item Peak Reverse Current Thermal Resistance(Typical) IRRM1 IRRM2 RθJ-A RθJ-L μA ℃/ W Test Condition FFM10 1-M 2-M 3-M IF =1.0A 5-M 1.3 IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A VRM=VRRM 4-M 250 150 Ta =25℃ 5 Ta =125℃ 50 Between junction and ambient 70 Between junction and terminal 25 500 Notes: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на FFM101-M 

Subject:

Дата модификации: 29.04.2020

Размер: 1.67 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)