SBD20100TCTB

JSCJ
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 20 А, с падением напряжения 540 мВ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20100CT (ANBON)
 
TO220AB
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBR20100CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P= SBD20100CT (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBRU20100CTA (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —
P= MBR20100FCT (ANBON)
 
ITO220AB
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBR20100FCT (YJ)
 
ITO220AB 50 шт
 
 — —
A- SBD30100SCTB (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L/TO-220F Plastic-Encapsulate Diode SBD20100TCTB、SBDF20100TCTB SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER MAIN CHARACTERISTICS IO VRRM 20（2×10）A 100 V Tj 150 ℃ VF(typ) 0.62V （@Tj=125℃） TO-220 F TO-220-3L FEATURES  Low Power Loss,High Efficiency  Guard Ring Die Construction for Transient Protection  High Current Capability and Low Forward Voltage Drop MARKING 1 2 3 SBD F20100TCTB SBD 20100TCTB XXXX XXXX 1 2 3 1. ANODE SBD(F)20100TCTB = Device code Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device XXXX = Code 2. CATHODE 3. ANODE 1 2 3 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol SBD Parameter VRRM Peak repetitive reverse voltage VRWM Working peak reverse voltage 20100TCTB F20100TCTB Unit 100 V VR DC blocking voltage VR(RMS) RMS reverse voltage 70 V Average rectified output current 0 A 150 A IO IFSM Non-Repetitive peak forward surge current (8.3ms half sine wave) RΘJc Thermal resistance from junction to case ,Tc=25℃ RΘJA Thermal resistance from junction to ambient 62.5 ℃/W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -55~+150 ℃ Max Unit 2.0 3.0 ℃/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage Reverse current Symbol Test conditions I R 1mA V(BR) = IR VR=100V IF=5A Forward voltage VF IF=10A Min Typ V 100 uA Tj =25℃ .0 Tj =125℃ .0 mA Tj =25℃ 0.54 V Tj =125℃ 0.50 V Tj =25℃ 0.6 Tj =125℃ 0.62 100 0.72 V V *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на SBD20100TCTB 

Microsoft Word - MBR2060FCT TO-220F_A_.doc

Дата модификации: 06.08.2023

Размер: 1.59 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)