LBAS16TT1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 75 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SC89
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MMBD4448HT (JSCJ)
 
SOT-523 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Silicon Switching Diode LBAS16TT1G S-LBAS16TT1G FEATURE z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC) SC-89 Symbol Max Unit Continuous Reverse Voltage VR 75 V Recurrent Peak Forward Current IR 200 mA IFM(surge) 500 mA PD 150 mW 1.6 mW/°C TJ, Tstg –55 to +150 °C Symbol Max Unit RθJA 0.625 °C/mW Rating Peak Forward Surge Current Pulse Width = 10 µs Total Power Dissipation, One Diode Loaded TA = 25°C Derate above 25°C Mounted on a Ceramic Substrate (10 x 8 x 0.6 mm) Operating and Storage Junction Temperature Range 3 CATHODE 1 ANODE THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction to Ambient One Diode Loaded Mounted on a Ceramic Substrate (10 x 8 x 0.6 mm) DEVICE MARKING LBAS16TT1 G= A6 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max — — — — 715 866 1000 1250 — — — 1.0 50 30 Unit Forward Voltage (IF = 1.0 mA) (IF = 10 mA) (IF = 50 mA) (IF = 150 mA) VF mV Reverse Current (VR = 75 V) (VR = 75 V, TJ = 150°C) (VR = 25 V, TJ = 150°C) IR Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz) CD — 2.0 pF Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mA, RL = 50 Ω) (Figure 1) trr — 6.0 ns Stored Charge (IF = 10 mA to VR = 6.0 V, RL = 500 Ω) (Figure 2) QS — 45 PC Forward Recovery Voltage (IF = 10 mA, tr = 20 ns) (Figure 3) VFR — 1.75 V µA ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LBAS16TT1G S-LBAS16TT1G A6 3000/Tape&Reel LBAS16TT3G S-LBAS16TT3G A6 10000/Tape&Reel Rev.O 1/4 PDF
Документация на LBAS16TT1G 

C:\Documents and Settings\lg\My

Дата модификации: 20.08.2012

Размер: 231.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)