LBAS21SLT1G

Диод выпрямительный на напряжение до 250 В, ток до 225 мА, с падением напряжения 1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAV23SE (HOTTECH)
 
SOT-23-3
 
P= BAV23S (JSCJ)
 

BAV23S (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BAS21S (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAV23S (ANBON)
 

BAV23S (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
P= BAV23S (YJ)
 

BAV23S (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Switching Diode LBAS21SLT1G S-LBAS21SLT1G FEATURE • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking LBAS21SLT1G S-LBAS21SLT1G LBAS21SLT3G S-LBAS21SLT3G 2 Shipping SOT– 23 JT 3000/Tape&Reel JT 10000/Tape&Reel ANODE 1 3 CATHODE/ANODE MAXIMUM RATINGS Rating Continuous Reverse Voltage Peak Forward Current Peak Forward Surge Current CATHODE 2 Symbol Value Unit VR IF 250 225 625 Vdc mAdc mAdc I FM(surge) THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol Max Unit PD 225 mW 1.8 mW/°C RθJA 556 °C/W PD 300 mW 2.4 mW/°C 417 –55 to +150 °C/W °C RθJA TJ , Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit — — 0.1 100 250 — — — 1000 1250 CD — 5.0 pF t rr — 50 ns OFF CHARACTERISTICS Reverse Voltage Leakage Current (V R = 200Vdc) (V R = 200Vdc, T J = 150°C) Reverse Breakdown Voltage (I BR = 100 µAdc) Forward Voltage (I F = 100 mAdc) (I F = 200 mAdc) Diode Capacitance (V R = 0, f = 1.0 MHz) Reverse Recovery Time (I F = I R = 30mAdc, R L = 100 Ω) 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. µAdc IR V (BR) VF Vdc mV Rev.O 1/3 PDF
Документация на LBAS21SLT1G 

Дата модификации: 20.08.2012

Размер: 79.1 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.