Вход / Регистрация

LBAW56DW1T1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 70 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 715 мВ, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SC88
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAW156LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBD4148CA (ANBON)
 

MMBD4148CA (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAW56 (DC)
 

BAW56LT1G (JSMICRO)
BAW56 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 LS: 13 1 3 2 Сборка диодов быстрых

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Monolithic Dual Switching Diode Common Anode Features • LBAW56DW1T1G S-LBAW56DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 ORDERING INFORMATION Device PACKAGE LBAW56DW1T1G S-LBAW56DW1T1G LBAW56DW1T3G S-LBAW56DW1T3G SC88 5 4 Shipping 3000 Tape & Reel 1 2 3 SC88 10000 Tape & Reel SOT-363/SC-88 MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE) Rating Reverse Voltage Symbol VR Forward Current Peak Forward Surge Current IF I FM(surge) Value Unit 70 200 500 Vdc mAdc mAdc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 4 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation FR-4 Board(2), TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol Max Unit PD 200 mW RθJA PD 1.6 600 300 mW/°C °C/W mW RθJA TJ , Tstg 2.4 400 –55 to +150 mW/°C °C/W °C 1 6 2 5 3 4 DEVICE MARKING LBAW56DW1T1G = A1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C unless otherwise noted) (EACH DIODE) Characteristic Symbol Min Max Unit V (BR) 70 – Vdc – – – – 30 2.5 50 3 – – – – – 715 855 1000 1250 6.0 OFF CHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage (I (BR) = 100 µAdc) Reverse Voltage Leakage Current (V R = 25 Vdc, T J = 150 °C) (V R = 70 Vdc) (V R = 70 Vdc, T J = 150 °C) Diode Capacitance (V R = 0, f = 1.0 MHz) Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) (I F = 10 mAdc) (I F = 50 mAdc) (I F = 150 mAdc) Reverse Recovery Time (I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1) R L = 100Ω 1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. IR µAdc C D V F t rr pF mVdc ns Rev.A 1/3 PDF
Документация на LBAW56DW1T1G 

Дата модификации: 10.06.2008

Размер: 159.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)