LMDL6050T1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 70 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
 — —
P= 1N4148WS (SHIKUES)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 550 шт
 
 — — — — — —
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (JSCJ)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 6000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 
P= BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LMDL6050T1G S-LMDL6050T1G Switching Diode FEATURE z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 2 SOD-323 1 CATHODE ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LMDL6050T1G S-LMDL6050T1G 5A 3000/Tape&Reel LMDL6050T3G S-LMDL6050T3G 5A 10000/Tape&Reel 2 ANODE MAXIMUM RATINGS Rating Reverse Voltage Forward Current Peak Forward Surge Current Symbol VR IF I FM(surge) Value 70 200 500 Unit Vdc mAdc mAdc Symbol PD Max 200 Unit mW R θJA T J , T stg 1.57 635 150 mW/°C °C/W °C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR-5 Board,* T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance Junction to Ambient Junction and Storage Temperature **FR-4 Minimum Pad ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit V (BR) 70 — Vdc IR — 0.1 µAdc 0.55 0.85 0.7 1.1 t rr — 4.0 ns C — 2.5 pF OFFCHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage (I (BR) = 100 µAdc) Reverse Voltage Leakage Current (V R = 50 Vdc) Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) (I F = 100 mAdc) Reverse Recovery Time (I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1) Capacitance (V R = 0 V) V Vdc F Rev.O 1/3 PDF
Документация на LMDL6050T1G 

a1

Дата модификации: 21.08.2012

Размер: 124.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)