EE-SG3

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 3.6 мм; Монтаж: на шасси; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SG3

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENS OPTO SLOT 3.6MM TRAN SOLDER
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SG3/EE-SG3-B Be sure to read Precautions on page 25. ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • Dust-proof model. • Solder terminal model (EE-SG3). • PCB terminal model (EE-SG3-B). ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 13 19±0.1 25.4±0.2 Two, 3.2±0.2 dia. holes Item Emitter 3.6±0.2 Optical axis 1.2 Four, 0.5 Four, 0.25 7.62±0.3 Detector 2.54±0.3 0.8 Four, 1.5 2.54 0.6 Cross section AA Cross section AA Internal Circuit K Ambient temperature C E Terminal No. A K C E Name Anode Cathode Collector Emitter Dimensions ±0.3 3 < mm ≤ 6 ±0.375 6 < mm ≤ 10 ±0.45 10 < mm ≤ 18 ±0.55 18 < mm ≤ 30 ±0.65 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP 1A (see note 2) Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 100 mW (see note 1) Operating Topr –25°C to 85°C Storage Tstg –30°C to 100°C Tsol 260°C (see note 3) Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. Tolerance 3 mm max. Rated value IF Soldering temperature Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. A Symbol Forward current ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Forward voltage Symbol Value VF 1.2 V typ., 1.5 V max. Condition IF = 30 mA Reverse current IR 0.01 μA typ., 10 μA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 940 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 2 mA min., 40 mA max. IF = 15 mA, VCE = 10 V Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. IF = 30 mA, IL = 1 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 850 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 4 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Falling time tf 4 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA 106 EE-SG3/EE-SG3-B Photomicrosensor (Transmissive) PDF
Документация на серию EE-SG3 

Micro Sensing Device Data Book

Дата модификации: 15.06.2009

Размер: 107.1 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0611S (KGB)