EE-SX1105

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 2 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SX1105

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1105 Be sure to read Precautions on page 25. ■ Dimensions ■ Features • Ultra-compact with a sensor width of 4.9 mm and a slot width of 2 mm. • Low-height of 3.3 mm. • PCB mounting type. • High resolution with a 0.4-mm-wide aperture. Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. Two, C0.7 Gate Item Optical axis Four, 0.5 Four, 0.4 ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP --- Reverse voltage VR 5V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO 4.5 V Collector current IC 30 mA Collector dissipation PC 80 mW (see note 1) Ambient tem- Operating perature Storage Topr –25°C to 85°C Tstg –30°C to 85°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 2) Four, Detector Cross section AA Internal Circuit Terminal No. Name A Anode K Cathode C Collector E Emitter Rated value IF Two, R0.15 Two, R0.3 5 min. Symbol Forward current Emitter Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. Complete soldering within 3 seconds. Unless otherwise specified, the tolerances are ±0.2 mm. ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Forward voltage Symbol Value VF 1.3 V typ., 1.6 V max. Condition IF = 50 mA Reverse current IR 10 μA max. VR = 5 V Peak emission wavelength λP 950 nm typ. IF = 50 mA Light current IL 0.2 mA min. IF = 20 mA, VCE = 5 V Dark current ID 500 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- 0.4 V max. IF = 20 mA, IL = 0.1 mA λP 800 nm typ. VCE = 5 V Rising time tr 10 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IF = 20 mA Falling time tf 10 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IF = 20 mA Detector Collector–Emitter saturated volt- VCE (sat) age Peak spectral sensitivity wavelength 58 EE-SX1105 Photomicrosensor (Transmissive) PDF
Документация на серию EE-SX1105 

Micro Sensing Device Data Book

Дата модификации: 15.06.2009

Размер: 98.2 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0821DS (KGB)