EE-SX1106

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 3 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SX1106

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Режим Выход Расстояние Особенности Монтаж Ток излучателя U out I out I cc U cc Корпус Кабель Индикация Спектр Регулировка Разъем T раб Примечания Карточка
товара
P= EESX1106 (OMRON)
 

EE-SX1106 (OMRON) 		— 250 шт
 
 — — — — — — — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1106 Be sure to read Precautions on page 25. ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • Ultra-compact with a slot width of 3 mm. • PCB mounting type. • High resolution with a 0.4-mm-wide aperture. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Two, C0.7 Gate Emitter Optical axis 5.4 Detector 5 min. Two, R1 Four, 0.2 Two, C0.2 Four, 0.5 Internal Circuit Ambient temperature 0 dia 1−0.1 Symbol IF 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP --- Reverse voltage VR 5V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO 4.5 V Collector current IC 30 mA Collector dissipation PC 80 mW (see note 1) Operating Topr –25°C to 85°C Storage Tstg –30°C to 85°C Tsol 260°C (see note 2) Soldering temperature 0 1.4 −0.1 dia Rated value Forward current Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. Complete soldering within 3 seconds. Terminal No. Name A Anode K C E Cathode Collector Emitter Unless otherwise specified, the tolerances are ±0.2 mm. ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Forward voltage Symbol Value VF 1.3 V typ., 1.6 V max. Condition IF = 50 mA Reverse current IR 10 μA max. VR = 5 V Peak emission wavelength λP 950 nm typ. IF = 50 mA Light current IL 0.2 mA min. IF = 20 mA, VCE = 5 V Dark current ID 500 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.4 V max. IF = 20 mA, IL = 0.1 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 800 nm typ. VCE = 5 V Rising time tr 10 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IF = 20 mA Falling time tf 10 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IF = 20 mA Detector 60 EE-SX1106 Photomicrosensor (Transmissive) PDF
Документация на серию EE-SX1106 

Micro Sensing Device Data Book

Дата модификации: 15.06.2009

Размер: 99.8 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0611S (KGB)