EE-SY124

Omron Co. - Electronic Components
Датчик положения оптический - Режим: отражение; Выход: фототранзистор; Расстояние: 1 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SY124

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENSR OPTO TRANS 1MM REFL TH PCB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Reflective) EE-SY124 ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • Ultra-compact model. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Emitter Detector C Unless otherwise specified, the tolerances are ±0.15 mm. A Terminal No. Rated value IF 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP 1 A (see note 2) Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter VCEO voltage 30 V Emitter–Collector VECO voltage 5V Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 75 mW (see note 1) Ambient Operating temperature Storage Topr –25°C to 85°C Tstg –40°C to 100°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 3) Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. Internal Circuit K Symbol Forward current E ■ Ordering Information Name A K C Anode Cathode Collector E Emitter Description Model Photomicrosensor (reflective) EE-SY124 ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Symbol Value Condition Forward voltage VF 1.2 V typ., 1.4 V max. IF = 20 mA Reverse current IR 0.01 µA typ., 10 µA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 950 nm typ. IF = 4 mA Light current IL 50 µA min., 300 µA max. IF = 4 mA, VCE = 2 V Aluminum-deposited surface, d = 1 mm (see note) VCE = 10 V, 0 lx Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. Leakage current ILEAK 200 nA max. IF =4 mA, VCE = 2 V with no reflection Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) --- --- Peak spectral sensitivity wavelength λP 930 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 35 µs typ. VCC = 2 V, RL = 1 kΩ, IL = 100 µA Falling time tf 25 µs typ. VCC = 2 V, RL = 1 kΩ, IL = 100 µA Note: The letter “d” indicates the distance between the top surface of the sensor and the sensing object. 296 Photomicrosensor (Reflective) EE-SY124 PDF
Документация EE-SY124 

100_sy124.fm

Дата модификации: 15.03.2005

Размер: 367.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0611S (KGB)