2SC3311
Na
te
Di
sc
e/
nc
tin
on
ue
Pl
d
p
lan inc
ea
se
ed lud
p
lan m m es
ht visi
tp t f
ed ain ain foll
:// ol d d te te ow
ww lo is is na n
i
w. win con con nce anc ng f
se g U tin tin t e ou
m R ue ue yp typ r P
ico L d d e
e
ro
n. ab typ ty
du
pa ou e pe
ct
d
na t l
life
so ate
cy
nic st
cle
.co inf
sta
.jp orm
ge
/e a
n/ tio
.
n.
ain
M
M
Di ain
sc te
on na
tin nc
ue e/
d
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: TO-262-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-262-3 | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  | |
| Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.